Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Doppelepitaxie — dvikartinė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double epitaxy; double epi process vok. Doppelepitaxie, f rus. двойная эпитаксия, f pranc. double épitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
double epitaxy — dvikartinė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double epitaxy; double epi process vok. Doppelepitaxie, f rus. двойная эпитаксия, f pranc. double épitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
double épitaxie — dvikartinė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double epitaxy; double epi process vok. Doppelepitaxie, f rus. двойная эпитаксия, f pranc. double épitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
double-epi process — dvikartinė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double epitaxy; double epi process vok. Doppelepitaxie, f rus. двойная эпитаксия, f pranc. double épitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
dvikartinė epitaksija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double epitaxy; double epi process vok. Doppelepitaxie, f rus. двойная эпитаксия, f pranc. double épitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). В полупроводниковой активной … Физическая энциклопедия
